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產(chǎn)品中心
光電探測(cè)器
砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb
2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式InAs光伏測(cè)器
                    
2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式InAs光伏測(cè)器
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
                  product
產(chǎn)品分類| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材/家具,電子/電池 | 
PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測(cè)器,通過光學(xué)浸沒來提升探測(cè)器的性能。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標(biāo)要求。
● 可探測(cè)紅外波長(zhǎng)范圍2-5.5μm
● 可配專用前置放大器
● 高溫度穩(wěn)定性與機(jī)械耐久性
● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡以實(shí)現(xiàn)光學(xué)浸沒,提升探測(cè)器的性能
TO8型封裝外形尺寸圖


透鏡參數(shù)
參量  | 數(shù)值  | 
浸沒微型透鏡形狀  | 超半球形  | 
光學(xué)區(qū)域面積AO, mm×mm  | 1×1  | 
R,mm  | 0.8  | 
A,mm  | 2.4±0.20  | 
?—接收角度;
R—超半球微型透鏡半徑
A—超半球微型透鏡底部與焦平面的距離
引腳定義
功能  | 引腳號(hào)  | 
探測(cè)器  | 1(-),2(+)  | 
接地  | 3  | 
● 熱成像
● FTIR光譜學(xué)
● 激光外差探測(cè)
● 中紅外氣體分析
參數(shù)  | 探測(cè)器型號(hào)  | |
PVIA-3  | PVIA-5  | |
有源元件材料  | 外延InAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)  | 外延InAsSb異質(zhì)結(jié)構(gòu)  | 
波長(zhǎng)λopt(μm)  | 2.15±0.2  | 2.3±0.2  | 
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W  | 2.95±0.3  | 4.7±0.3  | 
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λopt),cm·Hz1/2/W  | 3.5±0.2  | 5.5±0.2  | 
電流響應(yīng)度-光敏面長(zhǎng)度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W  | ≥5×1010  | ≥5×109  | 
時(shí)間常數(shù)T,ns  | ≥1.3  | ≥1.3  | 
電阻R,Ω  | ≤20  | ≤15  | 
元件工作溫度Tdet,K  | ≥2K  | |
感光面尺寸A,mm×mm  | 1×1  | |
封裝  | TO39  | |
接收角Φ  | ~36°  | |
窗口  | 無  | |
探測(cè)器光譜響應(yīng)特性曲線
