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產(chǎn)品中心
光電探測(cè)器
砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb
紅外兩級(jí)TE冷卻InAs光浸式光伏探測(cè)器
                    
紅外兩級(jí)TE冷卻InAs光浸式光伏探測(cè)器
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
                  product
產(chǎn)品分類| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材/家具,電子/電池 | 
PVIA-2TE系列是基于InAsSb合金的兩級(jí)TE冷卻紅外光伏探測(cè)器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標(biāo)要求。帶有3°楔形藍(lán)寶石(wAl2O3)窗口防止不必要的干擾影響。
● 可探測(cè)紅外波長(zhǎng)范圍2-5.5μm
● 采用兩級(jí)TE冷卻有效提高探測(cè)效率
● 可配專用前置放大器
● 高溫度穩(wěn)定性與機(jī)械耐久性
● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡以實(shí)現(xiàn)光學(xué)浸沒,提升探測(cè)器的性能
TO8型封裝外形尺寸圖

參量  | 數(shù)值  | 
浸沒微型透鏡形狀  | 超半球形  | 
光學(xué)區(qū)域面積AO;mm×mm  | 1×1  | 
R,mm  | 0.8  | 
A,mm  | 3.2±0.30  | 
備注:
?—接收角度;
R—超半球微型透鏡半徑
A—2TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離
2TE-TO8引腳定義
功能  | PIN號(hào)  | 
探測(cè)器  | 1,3  | 
反向偏壓(可選)  | 1(-),3(+)  | 
熱敏電阻  | 7,9  | 
TE冷卻器供應(yīng)  | 2(+),8(-)  | 
底板接地  | 11  | 
未使用  | 4,5,6,10,12  | 
● 醫(yī)學(xué)熱成像
● 紅外光譜分析
● 中紅外氣體吸收檢測(cè)
● 中紅外激光探測(cè)
參數(shù)  | 探測(cè)器型號(hào)  | |
PVIA-2TE-3  | PVIA-2TE-5  | |
有源元件材料  | 外延InAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)  | 外延InAsSb異質(zhì)結(jié)構(gòu)  | 
起始波長(zhǎng)λcut-on (10%), μm  | 2.1±0.2  | 2.4±0.2  | 
峰值波長(zhǎng)λpeak(μm)  | 2.9±0.3  | 4.7±0.3  | 
截止波長(zhǎng)λcut-off (10%), μm  | 3.4±0.2  | 5.5±0.2  | 
相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W  | ≥5×1011  | ≥4×1010  | 
電流響應(yīng)度Ri(λpeak),A/W  | ≥1.3  | ≥1.5  | 
時(shí)間常數(shù)T,ns  | ≤15  | ≤5  | 
電阻R,Ω  | ≥200K  | ≥1K  | 
元件工作溫度Tdet,K  | ~230  | |
感光面尺寸A,mm×mm  | 1×1  | |
封裝  | TO8  | |
接收角Φ  | ~36°  | |
窗口  | wAl2O3  | |
探測(cè)器光譜響應(yīng)特性曲線

熱敏電阻特性曲線

兩級(jí)TE冷卻參數(shù)表
參量  | 數(shù)值  | 
Tdet , K  | ~230  | 
Vmax , V  | 1.3  | 
Imax , A  | 1.2  | 
Qmax , W  | 0.36  | 
抗反射涂層窗口光譜透過率曲線
